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                    ME-210-T膜厚測量儀

                    • 型 號:
                    • 訪問次數:1709
                    • 更新時間:2024-03-13
                    • 價   格:

                    ME-210-T膜厚測量儀為一種光學系膜厚測量裝置,這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術,將不能變為可能,以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

                    分享到:

                    ME-210-T膜厚測量儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀,可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。

                    橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置,膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

                    ME-210-T膜厚測量儀用了本公司*的偏光Senor 技術,將不能變為可能,以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

                    ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會對先進的薄膜產品的生產有的用途。


                    特點

                    1,高效的測量速度(每分約1000點:)可短時間內取得高密度的面分布數據。

                    2,微小領域量測(20un左右)可簡單鎖定&測量任一微小區域。


                    3,可測量透明基板

                    適用于解析玻璃基板上的極薄膜。


                    測量實例

                    涂布膜邊緣擴大測量

                    可階段性擴大微小領域,然后獲得詳細的膜厚分布數據。

                    GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

                    縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評估、比較其分布狀況。


                    設備參數

                    項目

                    規格

                    光源

                    半導體激光(636nm、class2)

                    小測量領域

                    廣域模式:0.5mm×0.5mm

                    高精細模式:5.5um×5.5um

                    入射角

                    70『deg』

                    測量再現性

                    膜厚:0.1nm 折射率:0.001     ※1

                    大測量速度

                    1000point/min(廣域模式)

                    5000point/min(高精密模式)

                    載物臺

                    行程:XY200mm以上

                    大移動速度:約40mm/scc

                    尺寸/重量

                    約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg

                    電源

                    AC100V

                    備注

                    ※1:此數值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點,重復測量100次后的標準偏差值




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